Ta2O5掺杂对0.48BCT-0.52BZT陶瓷结构及压电性能的影响
来源期刊:功能材料2017年第12期
论文作者:黄伟 林家齐 杨文龙
文章页码:12171 - 12176
关键词:锆钛酸钡钙;Ta2O5;压电性能;无铅压电陶瓷;
摘 要:采用固相烧结法制备锆钛酸钡钙(BCZT)无铅压电陶瓷,研究不同Ta2O5掺杂浓度对陶瓷结构和压电、铁电、介电性能的影响。实验结果表明,不同掺杂量的钽烧结的BCZT无铅压电陶瓷均为典型的钙钛矿结构,陶瓷晶粒生长均匀,钽的掺杂对晶粒的生长有较大的影响;0.48(Ba0.7Ca0.3)TiO3-0.52Ba(Zr0.2Ti0.8)O3的压电系数、逆压电系数、剩余极化强度都在掺杂量0.3%(摩尔分数)Ta2O5最优,综合性能为d33为489 pC/N,2 kV/mm下逆压电系数高达657 pm/V,1 kV/mm下Pr为9.61μC/cm2,Ec为0.237 kV/mm。
黄伟,林家齐,杨文龙
哈尔滨理工大学应用科学学院
摘 要:采用固相烧结法制备锆钛酸钡钙(BCZT)无铅压电陶瓷,研究不同Ta2O5掺杂浓度对陶瓷结构和压电、铁电、介电性能的影响。实验结果表明,不同掺杂量的钽烧结的BCZT无铅压电陶瓷均为典型的钙钛矿结构,陶瓷晶粒生长均匀,钽的掺杂对晶粒的生长有较大的影响;0.48(Ba0.7Ca0.3)TiO3-0.52Ba(Zr0.2Ti0.8)O3的压电系数、逆压电系数、剩余极化强度都在掺杂量0.3%(摩尔分数)Ta2O5最优,综合性能为d33为489 pC/N,2 kV/mm下逆压电系数高达657 pm/V,1 kV/mm下Pr为9.61μC/cm2,Ec为0.237 kV/mm。
关键词:锆钛酸钡钙;Ta2O5;压电性能;无铅压电陶瓷;