TC4钛合金在慢速率形变下的银脆行为
来源期刊：稀有金属1998年第3期
论文作者：唐宾 严百平 黄淑菊 何家文 刘道新
关键词：银脆; 氢脆; 离子束增强沉积; 钛合金;
摘 要：利用慢应变速率拉伸试验 (SSRT) 并结合断口分析, 研究了镀银方式、 镍阻挡层、 表面压应力和温度等因素对TC4钛合金固态银致脆 (SSIE) 行为的影响, 并对SSIE机制进行了理论分析. 结果表明, 在慢速率提伸条件下, TC4于350℃以上表现出较显著的SSIE敏感性, SSIE下限温度约为280℃. 银与TC4表面紧密结合是产生SSIE的必要条件. 电镀 (EP) 银可引起TC4氢脆 (HE) 和SSIE双重破坏作用. 镍阻挡层对TC4的SSIE裂纹萌生有一定抑制作用. TC4合金SSIE过程速率由银在裂纹表面自扩散速率与裂尖氧化膜破裂速率的相对大小决定.
唐宾1，严百平2，黄淑菊1，何家文1，刘道新3
(1.西安交通大学;
2.西安理工大学;
3.西北工业大学腐蚀与防护研究室,西安710072)
摘要:利用慢应变速率拉伸试验 (SSRT) 并结合断口分析, 研究了镀银方式、 镍阻挡层、 表面压应力和温度等因素对TC4钛合金固态银致脆 (SSIE) 行为的影响, 并对SSIE机制进行了理论分析. 结果表明, 在慢速率提伸条件下, TC4于350℃以上表现出较显著的SSIE敏感性, SSIE下限温度约为280℃. 银与TC4表面紧密结合是产生SSIE的必要条件. 电镀 (EP) 银可引起TC4氢脆 (HE) 和SSIE双重破坏作用. 镍阻挡层对TC4的SSIE裂纹萌生有一定抑制作用. TC4合金SSIE过程速率由银在裂纹表面自扩散速率与裂尖氧化膜破裂速率的相对大小决定.
关键词:银脆; 氢脆; 离子束增强沉积; 钛合金;
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