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SiC/CNTs纳米复合材料吸波性能的研究

来源期刊:无机材料学报2006年第3期

论文作者:张岳 梁彤祥 赵宏生

关键词:SiC一维纳米材料; 碳纳米管; 吸波性能;

摘    要:采用聚碳硅烷前驱体转化法制备了SiC/CNTs纳米复合材料,采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、高分辨电子显微镜对样品进行了微观结构分析,并测试了材料在2~18GHz频率范围内的电磁参数.结果表明,当初始聚碳硅烷/二甲苯溶液浓度为10%~15%时,聚碳硅烷前驱体转化法在CNTs表面可以制备SiC包覆层均匀致密的复合一维纳米材料.SiC包覆CNTs一维纳米材料的电磁参数测试表明,其损耗机制以介电损耗为主,当聚碳硅烷含量为15%时,SiC/CNTs纳米复合材料具有最高的介电常数和损耗角,较好的电磁波吸收特性,并表现出复合效应.

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SiC/CNTs纳米复合材料吸波性能的研究

张岳1,梁彤祥1,赵宏生1

(1.清华大学核能与新能源技术研究院,北京,100084)

摘要:采用聚碳硅烷前驱体转化法制备了SiC/CNTs纳米复合材料,采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、高分辨电子显微镜对样品进行了微观结构分析,并测试了材料在2~18GHz频率范围内的电磁参数.结果表明,当初始聚碳硅烷/二甲苯溶液浓度为10%~15%时,聚碳硅烷前驱体转化法在CNTs表面可以制备SiC包覆层均匀致密的复合一维纳米材料.SiC包覆CNTs一维纳米材料的电磁参数测试表明,其损耗机制以介电损耗为主,当聚碳硅烷含量为15%时,SiC/CNTs纳米复合材料具有最高的介电常数和损耗角,较好的电磁波吸收特性,并表现出复合效应.

关键词:SiC一维纳米材料; 碳纳米管; 吸波性能;

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