高矫顽力SmCo（Al，Si）／Cr薄膜的研究
来源期刊：磁性材料及器件2001年第2期
论文作者：胡雪涛 王翔 蔡长波 林更琪 李震 李佐宜
关键词：矫顽力; SmCo(Al,Si)/Cr薄膜; 磁性能; 磁控溅射;
摘 要：通过对磁控溅射条件的优化，制备出了较理想的SmCo（Al，Si）／Cr硬盘磁记录介质。退火处理后又得到较好的硬磁薄膜。结果指出，在Sm含量（摩尔分数）为31．6％，Cr缓冲层为66nm，Sm（Co，Al，Si）５磁性层为30nm的条件下，制得的Sm（Co，Al，Si）５／Cr薄膜的矫顽力Hｃ为187．8kA／m，剩磁比S＝Mｒ／Mｓ≈0.94。在500℃退火25min后，矫顽力Hｃ达到1042．5kA／m，剩磁比S≈0．92。
胡雪涛1，王翔1，蔡长波1，林更琪1，李震1，李佐宜1
(1.华中科技大学电子科学与技术系,)
摘要:通过对磁控溅射条件的优化，制备出了较理想的SmCo（Al，Si）／Cr硬盘磁记录介质。退火处理后又得到较好的硬磁薄膜。结果指出，在Sm含量（摩尔分数）为31．6％，Cr缓冲层为66nm，Sm（Co，Al，Si）５磁性层为30nm的条件下，制得的Sm（Co，Al，Si）５／Cr薄膜的矫顽力Hｃ为187．8kA／m，剩磁比S＝Mｒ／Mｓ≈0.94。在500℃退火25min后，矫顽力Hｃ达到1042．5kA／m，剩磁比S≈0．92。
关键词:矫顽力; SmCo(Al,Si)/Cr薄膜; 磁性能; 磁控溅射;
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