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硅烷偶联剂表面接枝包覆纳米SiO2的研究

来源期刊:高分子材料科学与工程2005年第6期

论文作者:佘庆彦 刘国栋 王美英 瞿雄伟

关键词:MPS; 纳米SiO2; 表面处理; 接枝包覆;

摘    要:采用硅烷偶联剂γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷(MPS)处理纳米SiO2,并用FT-IR、ζ-电势、TG、TEM对纳米SiO2的处理效果进行了表征.结果表明,纳米SiO2的接枝率随偶联剂MPS加入量的增加而增加;当pH值为4,MPS/SiO2为50%,反应温度为110 ℃、时间为90 min时,纳米SiO2表面MPS的接枝包覆率达到35.7%;此时纳米SiO2粒子在乳液中的分散更为均匀.

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硅烷偶联剂表面接枝包覆纳米SiO2的研究

佘庆彦1,刘国栋1,王美英1,瞿雄伟1

(1.河北工业大学,化工学院高分子科学与工程研究所,天津,300130)

摘要:采用硅烷偶联剂γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷(MPS)处理纳米SiO2,并用FT-IR、ζ-电势、TG、TEM对纳米SiO2的处理效果进行了表征.结果表明,纳米SiO2的接枝率随偶联剂MPS加入量的增加而增加;当pH值为4,MPS/SiO2为50%,反应温度为110 ℃、时间为90 min时,纳米SiO2表面MPS的接枝包覆率达到35.7%;此时纳米SiO2粒子在乳液中的分散更为均匀.

关键词:MPS; 纳米SiO2; 表面处理; 接枝包覆;

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