含B高导电Al-Si合金显微组织的观察与分析
来源期刊：稀有金属材料与工程2017年第8期
论文作者：刘红伟 贺小龙 杨昭 王光旭 徐雪璇 路建宁
文章页码：2300 - 2305
关键词：Al-Si合金;Al-B中间合金;电导率;晶格常数;
摘 要：通过电导率测量、金相观察、扫描电镜分析、透射电镜分析、X射线衍射分析和电子探针微量分析,研究了B的添加对铸造Al-Si合金晶格常数、晶粒尺寸和导电性能的影响。研究结果表明:当B的质量分数低于0.02%时,Al基体内各杂质元素Ti、Cr、Mn、V均以硼化物的形式从Al基体内析出,Al基体内的晶格畸变程度明显降低,电导率提高了6.45%;当B的质量分数超过0.02%时,B与Ti作用形成TiB2,TiB2促进Al3Ti相的形成,TiB2和Al3Ti共同促进晶粒细化,晶界增多,电子散射几率增加,同时过量的B固溶在Al基体内,电导率下降了2.55%;当B的质量分数为0.02%时,在保证合金的抗拉强度不降低的同时,合金的电导率达到最好,为33.00%IACS。
刘红伟1，贺小龙2，杨昭2，王光旭2，徐雪璇2，路建宁2
1. 中国兵器科学研究院宁波分院2. 中南大学
摘 要：通过电导率测量、金相观察、扫描电镜分析、透射电镜分析、X射线衍射分析和电子探针微量分析,研究了B的添加对铸造Al-Si合金晶格常数、晶粒尺寸和导电性能的影响。研究结果表明:当B的质量分数低于0.02%时,Al基体内各杂质元素Ti、Cr、Mn、V均以硼化物的形式从Al基体内析出,Al基体内的晶格畸变程度明显降低,电导率提高了6.45%;当B的质量分数超过0.02%时,B与Ti作用形成TiB2,TiB2促进Al3Ti相的形成,TiB2和Al3Ti共同促进晶粒细化,晶界增多,电子散射几率增加,同时过量的B固溶在Al基体内,电导率下降了2.55%;当B的质量分数为0.02%时,在保证合金的抗拉强度不降低的同时,合金的电导率达到最好,为33.00%IACS。
关键词：Al-Si合金;Al-B中间合金;电导率;晶格常数;
