HfO_x薄膜双极电阻转变特性及其机理的研究
来源期刊：功能材料与器件学报2012年第5期
论文作者：李艳艳 刘正堂 谭婷婷
文章页码：412 - 416
关键词：HfOx薄膜;双极电阻转变特性;氧空位;
摘 要：本文采用射频磁控溅射法在ITO/Glass衬底上制备了Cu/HfOx/Ti MIM结构,对其电学性能和化学成分进行了分析。结果表明,Cu/HfOx/Ti结构在不发生软击穿(forming)的情况下具有明显的双极电阻转变特性,高低阻比大于10,并且具有良好的重复性与保持性。HfOx薄膜中含有大量的氧空位,电阻转变过程可能与氧空位形成的导电细丝有关。
李艳艳，刘正堂，谭婷婷
西北工业大学材料学院,凝固技术国家重点实验室
摘 要：本文采用射频磁控溅射法在ITO/Glass衬底上制备了Cu/HfOx/Ti MIM结构,对其电学性能和化学成分进行了分析。结果表明,Cu/HfOx/Ti结构在不发生软击穿(forming)的情况下具有明显的双极电阻转变特性,高低阻比大于10,并且具有良好的重复性与保持性。HfOx薄膜中含有大量的氧空位,电阻转变过程可能与氧空位形成的导电细丝有关。
关键词：HfOx薄膜;双极电阻转变特性;氧空位;
