聚酰亚胺/纳米有机硅薄膜结构与电性能研究
来源期刊：绝缘材料2008年第1期
论文作者：张辰威 陈昊 李翠翠 范勇 李娟
关键词：聚酰亚胺; 纳米有机硅; 电性能;
摘 要：通过调整甲基三乙氧基硅烷和正硅酸乙酯的摩尔比,采用溶胶一凝胶法制备了纳米有机硅溶胶用于掺杂的聚酰亚胺(PI)薄膜.对薄膜的结构与电气强度,相对介电常数εr和介质损耗因数(tanδ)的关系进行了实验研究,并采用FT-IR,SEM表征了薄膜的化学结构和表面形貌.结果表明,随着纳米有机硅网络结构的变化,掺杂薄膜的击穿场强先下降后增加,大约在甲基三乙氧基硅烷和正硅酸乙酯的摩尔比为3∶5时出现极小值,在1 kHz的测试频率下,相对介电常数εr先增大后减小,相应的介质损耗因数(tanδ)逐渐降低.
张辰威1，陈昊1，李翠翠1，范勇1，李娟1
(1.哈尔滨理工大学,材料科学与工程学院,哈尔滨,150040)
摘要:通过调整甲基三乙氧基硅烷和正硅酸乙酯的摩尔比,采用溶胶一凝胶法制备了纳米有机硅溶胶用于掺杂的聚酰亚胺(PI)薄膜.对薄膜的结构与电气强度,相对介电常数εr和介质损耗因数(tanδ)的关系进行了实验研究,并采用FT-IR,SEM表征了薄膜的化学结构和表面形貌.结果表明,随着纳米有机硅网络结构的变化,掺杂薄膜的击穿场强先下降后增加,大约在甲基三乙氧基硅烷和正硅酸乙酯的摩尔比为3∶5时出现极小值,在1 kHz的测试频率下,相对介电常数εr先增大后减小,相应的介质损耗因数(tanδ)逐渐降低.
关键词:聚酰亚胺; 纳米有机硅; 电性能;
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