ITO薄膜的XPS和AES研究
来源期刊：材料研究学报2000年第2期
论文作者：黄荣芳 陈猛 白雪冬 闻立时 裴志亮
关键词：化学状态; 光电子能谱; 俄歇电子能谱; Gauss拟合;
摘 要：分别用XPS和AES分析了ITO薄膜真空退火前后各元素化学状态的变化和深度分布情况研究表明,退火前后Sn和In处于各自相同的化学状态中.O以氧充足和氧缺乏两种化合状态存在,其结合能值分别为(529.90±0.30)eV和(531.40±0.20)eV.氧缺位状态主要分布在薄膜表层.各元素在薄膜体内分布均匀而在膜基界面存在金属富集.
黄荣芳1，陈猛1，白雪冬1，闻立时1，裴志亮1
(1.中国科学院金属研究所)
摘要:分别用XPS和AES分析了ITO薄膜真空退火前后各元素化学状态的变化和深度分布情况研究表明,退火前后Sn和In处于各自相同的化学状态中.O以氧充足和氧缺乏两种化合状态存在,其结合能值分别为(529.90±0.30)eV和(531.40±0.20)eV.氧缺位状态主要分布在薄膜表层.各元素在薄膜体内分布均匀而在膜基界面存在金属富集.
关键词:化学状态; 光电子能谱; 俄歇电子能谱; Gauss拟合;
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