电化学组装一维纳米线阵列p型Bi2Te3温差电材料
来源期刊：无机材料学报2004年第3期
论文作者：申玉田 黄庆华 郭鹤桐 王为 张伟玲 贾法龙
关键词：p型温差电材料; Bi2Te3; 电化学组装; 纳米线阵列;
摘 要：对p型Bi2Te3温差电材料的电沉积过程进行了研究,分析了添加剂对电沉积过程的影响.在此基础上,以孔径为50nm的阳极氧化铝多孔膜为模板,采用直流电沉积技术,在氧化铝多孔模板的纳米级微孔内电化学组装出了p型Bi2Te3纳米线阵列温差电材料.性能研究表明,p型Bi2Te3纳米线阵列的温差电性能远远超过具有相同组成的块状温差电材料.
申玉田1，黄庆华2，郭鹤桐2，王为2，张伟玲2，贾法龙2
(1.河北工业大学材料科学与工程学院,天津,300130;
2.天津大学化工学院应用化学系,天津,300072)
摘要:对p型Bi2Te3温差电材料的电沉积过程进行了研究,分析了添加剂对电沉积过程的影响.在此基础上,以孔径为50nm的阳极氧化铝多孔膜为模板,采用直流电沉积技术,在氧化铝多孔模板的纳米级微孔内电化学组装出了p型Bi2Te3纳米线阵列温差电材料.性能研究表明,p型Bi2Te3纳米线阵列的温差电性能远远超过具有相同组成的块状温差电材料.
关键词:p型温差电材料; Bi2Te3; 电化学组装; 纳米线阵列;
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