硅中氮离子注入的研究进展
来源期刊：材料导报2003年第2期
论文作者：杨德仁 裴艳丽
关键词：氮离子注入; 硅; SOI;
摘 要：综述了硅中氮离子注入的应用和研究进展.主要讨论了氮离子注入形成SOI层的原理、质量的影响因素和电学性能;介绍了氮离子注入在制备超薄氧化栅极及其抑制掺杂杂质原子特别是硼原予扩散等方面的研究和应用.
杨德仁1，裴艳丽1
(1.浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027)
摘要:综述了硅中氮离子注入的应用和研究进展.主要讨论了氮离子注入形成SOI层的原理、质量的影响因素和电学性能;介绍了氮离子注入在制备超薄氧化栅极及其抑制掺杂杂质原子特别是硼原予扩散等方面的研究和应用.
关键词:氮离子注入; 硅; SOI;
【全文内容正在添加中】
