SiC单晶片的超精密加工
来源期刊:功能材料2006年第1期
论文作者:徐现刚 胡小波 李娟 马德营 蒋民华 姜守振 陈秀芳 李现祥 董捷 王丽 王继扬
关键词:化学机械抛光; 粗糙度; 平整度;
摘 要:半导体晶片的加工质量和精度,直接影响到器件的性能.本文提出了一种超精密加工SiC晶片的方法,并详细论述了化学机械抛光的原理.加工后的SiC单晶片,平整度为±3μm,粗糙度<5nm,且应力较小.
徐现刚1,胡小波1,李娟1,马德营1,蒋民华1,姜守振1,陈秀芳1,李现祥1,董捷1,王丽1,王继扬1
(1.山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100)
摘要:半导体晶片的加工质量和精度,直接影响到器件的性能.本文提出了一种超精密加工SiC晶片的方法,并详细论述了化学机械抛光的原理.加工后的SiC单晶片,平整度为±3μm,粗糙度<5nm,且应力较小.
关键词:化学机械抛光; 粗糙度; 平整度;
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