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硼硅玻璃与硅阳极键合机理分析

来源期刊：兵器材料科学与工程2006年第4期

论文作者：鲁晓莹秦会峰胡利方宋永刚孟庆森

关键词：阳极键合; 硼硅玻璃; 硅; 过渡区;

摘要：硼硅玻璃与硅进行阳极键合试验,通过扫描电镜及能谱分析对键合界面的微观结构进行分析,结果表明:玻璃/硅的键合界面有明显的中间过渡层生成;在电场力作用下玻璃耗尽层中的氧负离子向界面迁移扩散并与硅发生氧化反应是形成中间过渡层的主要原因,界面过渡层的形成是玻璃/硅界面键合实现连接的基本条件.

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鲁晓莹¹，秦会峰¹，胡利方¹，宋永刚¹，孟庆森¹

(1.太原理工大学,材料科学与工程学院,山西,太原,030024)

摘要:硼硅玻璃与硅进行阳极键合试验,通过扫描电镜及能谱分析对键合界面的微观结构进行分析,结果表明:玻璃/硅的键合界面有明显的中间过渡层生成;在电场力作用下玻璃耗尽层中的氧负离子向界面迁移扩散并与硅发生氧化反应是形成中间过渡层的主要原因,界面过渡层的形成是玻璃/硅界面键合实现连接的基本条件.

关键词:阳极键合; 硼硅玻璃; 硅; 过渡区;

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