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垂直梯度凝固法生长半绝缘GaAs单晶的工艺研究

来源期刊：功能材料与器件学报2002年第1期

论文作者：杜立新赵福川谈惠祖

关键词：垂直梯度凝固(VGF); 半绝缘GaAs单晶; 晶体生长;

摘要：在国产三温区VGF单晶炉上,研究了非掺GaAs半绝缘单晶的液封垂直梯度凝固法生长技术.讨论了引晶、坩埚设计与质量、PBN坩埚的剥落、B2O3的水份控制等因素对单晶生长的影响,基本解决了VGF的工艺问题.通过多炉生长,得到了Φ2″=VGF非掺半绝缘低位错全单晶.

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杜立新¹，赵福川¹，谈惠祖¹

(1.中国科学院上海冶金研究所,上海,200050)

摘要:在国产三温区VGF单晶炉上,研究了非掺GaAs半绝缘单晶的液封垂直梯度凝固法生长技术.讨论了引晶、坩埚设计与质量、PBN坩埚的剥落、B2O3的水份控制等因素对单晶生长的影响,基本解决了VGF的工艺问题.通过多炉生长,得到了Φ2″=VGF非掺半绝缘低位错全单晶.

关键词:垂直梯度凝固(VGF); 半绝缘GaAs单晶; 晶体生长;

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