MOCVD方法在Si衬底上低温生长ZnO薄膜
来源期刊：功能材料与器件学报2006年第1期
论文作者：王俊 王启元 段垚 曾一平 沈文娟
关键词：金属有机化学气相沉积; 光致发光; ZnO; metal-organic chemical vapor deposition; photoluminescence; ZnO;
摘 要：采用二乙基锌(DEZn)和氧化亚氮(N2O)作为锌源和氧源,在低温300℃,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法在Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜.通过优化氧锌比,ZnO薄膜为高度单一c轴方向生长.由光致发光谱和反射谱得知,ZnO薄膜的紫外发光峰位于388nm,具有很好的光透性,且其PL谱半峰宽为80meV.
王俊1，王启元1，段垚1，曾一平1，沈文娟1
(1.中国科学院半导体所材料中心,北京,100083)
摘要:采用二乙基锌(DEZn)和氧化亚氮(N2O)作为锌源和氧源,在低温300℃,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法在Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜.通过优化氧锌比,ZnO薄膜为高度单一c轴方向生长.由光致发光谱和反射谱得知,ZnO薄膜的紫外发光峰位于388nm,具有很好的光透性,且其PL谱半峰宽为80meV.
关键词:金属有机化学气相沉积; 光致发光; ZnO; metal-organic chemical vapor deposition; photoluminescence; ZnO;
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