原位退火处理对ZnS/Si薄膜结晶性能的影响
来源期刊:功能材料2018年第12期
论文作者:赵彬豪 麦合木提·麦麦提 买买提热夏提·买买提 王嘉鸥 奎热西·伊布拉辛
文章页码:12091 - 12095
关键词:脉冲激光沉积;闪锌矿;ZnS薄膜;择优生长;
摘 要:采用脉冲激光沉积法在Si衬底上生长出厚度为400nm的一系列ZnS薄膜,进行原位退火处理,获得单晶结构的闪锌矿型ZnS薄膜。首次报道了采用原位退火处理后获得单晶ZnS薄膜为立方结构的闪锌矿且薄膜沿(111)晶面择优生长,同时研究了其结晶质量与退火工艺之间的关系。结果显示随着退火温度的升高,薄膜的平均晶粒尺寸由200℃的13.357nm增长到400℃的27.232nm,另外薄膜的平均粗糙度由2.05nm下降达到1.14nm。采用脉冲激光沉积法制备的ZnS薄膜在400℃退火后表现出极好的单晶择优取向生长以及良好的表面平整度,为研究单晶ZnS薄膜提供一种实验解决思路。
赵彬豪1,2,麦合木提·麦麦提1,买买提热夏提·买买提1,王嘉鸥2,奎热西·伊布拉辛2
1. 新疆大学物理科学与技术学院2. 中国科学院高能物理研究所
摘 要:采用脉冲激光沉积法在Si衬底上生长出厚度为400nm的一系列ZnS薄膜,进行原位退火处理,获得单晶结构的闪锌矿型ZnS薄膜。首次报道了采用原位退火处理后获得单晶ZnS薄膜为立方结构的闪锌矿且薄膜沿(111)晶面择优生长,同时研究了其结晶质量与退火工艺之间的关系。结果显示随着退火温度的升高,薄膜的平均晶粒尺寸由200℃的13.357nm增长到400℃的27.232nm,另外薄膜的平均粗糙度由2.05nm下降达到1.14nm。采用脉冲激光沉积法制备的ZnS薄膜在400℃退火后表现出极好的单晶择优取向生长以及良好的表面平整度,为研究单晶ZnS薄膜提供一种实验解决思路。
关键词:脉冲激光沉积;闪锌矿;ZnS薄膜;择优生长;