CdZnTe晶体(111)面、(110)面和(100)面的蚀坑形貌观察
来源期刊：功能材料2004年增刊第1期
论文作者：李含冬 魏昭荣 高德友 赵北君 唐世红 韦永林 朱世富 陈俊
关键词：晶体生长; 蚀坑密度; 布里奇曼法; 晶体定向;
摘 要：利用CdZnte晶体晶面夹角之间的关系采用激光正反射法对改进布里奇曼法生长的CdZnTe单晶进行定向,研磨出了CdZnTe单晶体的(111)、(100)面.采用自行研制的HHKA腐蚀液对三个面进行择优腐蚀,得到了(111)、(100)和(110)面的腐蚀照片,并计算出了蚀坑密度(EPD)约为104～105/m2数量级.结果表明生长晶体的质量较好.
李含冬1，魏昭荣1，高德友1，赵北君1，唐世红1，韦永林1，朱世富1，陈俊1
(1.四川大学,材料科学系,四川,成都,610064)
摘要:利用CdZnte晶体晶面夹角之间的关系采用激光正反射法对改进布里奇曼法生长的CdZnTe单晶进行定向,研磨出了CdZnTe单晶体的(111)、(100)面.采用自行研制的HHKA腐蚀液对三个面进行择优腐蚀,得到了(111)、(100)和(110)面的腐蚀照片,并计算出了蚀坑密度(EPD)约为104～105/m2数量级.结果表明生长晶体的质量较好.
关键词:晶体生长; 蚀坑密度; 布里奇曼法; 晶体定向;
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