退火对GaAs窗口晶体断裂模数的影响
来源期刊：稀有金属2003年第6期
论文作者：黎建明 郑安生 屠海令
关键词：GaAs; 断裂模数; 退火;
摘 要：LEC GaAs 晶片经高温退火后, 残余应力得以部分释放; 从而减小残余应力诱生断裂的可能性, 提高了GaAs晶体的断裂模数. 原生GaAs晶片加工的样品的断裂模数平均值约为135 MPa, 经退火的GaAs晶片加工样品的断裂模数平均值更高, 约为150 MPa, 断裂模数最高值达163 MPa.
黎建明1，郑安生1，屠海令1
(1.北京有色金属总院红外材料研究所,北京,100088)
摘要:LEC GaAs 晶片经高温退火后, 残余应力得以部分释放; 从而减小残余应力诱生断裂的可能性, 提高了GaAs晶体的断裂模数. 原生GaAs晶片加工的样品的断裂模数平均值约为135 MPa, 经退火的GaAs晶片加工样品的断裂模数平均值更高, 约为150 MPa, 断裂模数最高值达163 MPa.
关键词:GaAs; 断裂模数; 退火;
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