氢氟酸中痕量杂质的ICP-MS分析测定
来源期刊：稀有金属2005年第6期
论文作者：叶松芳
关键词：氢氟酸; ICP-MS; 标准加入法; 金属杂质;
摘 要：研究了用HP 4500型 ICP-MS方法分析半导体用浓氢氟酸中的痕量杂质.在半导体业,所用试剂要求在10 ng·ml-1级.采用样品直接稀释法,在优化的实验条件下,采用HP 4500型ICP-MS实现了样品中Na,Mg,Al,K,Ca,Cr,Fe,Ni,Cu,Pb,10种杂质元素的同时测定,降低了样品玷污的可能性.屏蔽炬系统和冷等离子体的使用,很大程度上提高了检出限,使K,Ca和Fe获得令人满意的测量结果.所有元素的测定均在相同条件下进行,检出限为0.8～20 ng·ml-1.
叶松芳1
(1.北京有色金属研究总院,有研半导体材料股份有限公司,北京,100088)
摘要:研究了用HP 4500型 ICP-MS方法分析半导体用浓氢氟酸中的痕量杂质.在半导体业,所用试剂要求在10 ng·ml-1级.采用样品直接稀释法,在优化的实验条件下,采用HP 4500型ICP-MS实现了样品中Na,Mg,Al,K,Ca,Cr,Fe,Ni,Cu,Pb,10种杂质元素的同时测定,降低了样品玷污的可能性.屏蔽炬系统和冷等离子体的使用,很大程度上提高了检出限,使K,Ca和Fe获得令人满意的测量结果.所有元素的测定均在相同条件下进行,检出限为0.8～20 ng·ml-1.
关键词:氢氟酸; ICP-MS; 标准加入法; 金属杂质;
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