粒度分布对Cu包覆SiC颗粒相分布均匀性的影响
来源期刊：无机材料学报2002年第6期
论文作者：高濂 张锐 虞玲 郭景坤
关键词：包覆; 分散均匀性; 粒度分布; 歧化反应;
摘 要：利用歧化反应原理,在SiC颗粒表面包覆金属Cu.通过俄歇电子能谱(AES),分析粒度分布对Cu包覆SiC颗粒相分布均匀性的影响.SiC颗粒的粒度分布范围过宽,Cu倾向于包覆在大颗粒表面而无法分散到细小颗粒表面.减小粒度分布范围,纳米SiC颗粒同样能被Cu均匀包覆.应当控制纳米SiC颗粒在一个较小的分布范围,以保证理想的Cu包覆效果和两相分散均匀性.
高濂1，张锐1，虞玲1，郭景坤1
(1.中国科学院上海硅酸盐研究所国家重点实验室,上海,200050;
2.郑州大学材料工程学院,河南,450002)
摘要:利用歧化反应原理,在SiC颗粒表面包覆金属Cu.通过俄歇电子能谱(AES),分析粒度分布对Cu包覆SiC颗粒相分布均匀性的影响.SiC颗粒的粒度分布范围过宽,Cu倾向于包覆在大颗粒表面而无法分散到细小颗粒表面.减小粒度分布范围,纳米SiC颗粒同样能被Cu均匀包覆.应当控制纳米SiC颗粒在一个较小的分布范围,以保证理想的Cu包覆效果和两相分散均匀性.
关键词:包覆; 分散均匀性; 粒度分布; 歧化反应;
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