Ce3+掺杂SiO2材料低温处理条件下两光致发光带的比较
来源期刊：材料热处理学报2006年第2期
论文作者：刘君武 汤文明 吕珺 郑治祥 王建民 吴玉程 徐光青
关键词：光致发光; Ce3+掺杂; 溶胶-凝胶技术; 纳米SiO2;
摘 要：采用溶胶-凝胶技术通过添加Ce(NO3)3制备了掺杂Ce3+离子的纳米SiO2材料,利用红外光谱、紫外-可见吸收光谱以及电子能谱等研究样品成分,并对不同热处理条件下样品的光致发光性能进行研究.结果表明,低温处理条件下样品中存在一定量的OH羟基,并且样品中的Ce离子主要以Ce3+的形式存在.在100-500℃较低温度下热处理的样品中存在两个峰值相近的光致发光带,最大值为344nm和357nm,其对应的最大激发峰分别为226nm和252nm.其中,344nm光致发光带起源于基体SiO2的缺陷中心,而357nm光致发光带起源于Ce3+的一种类液发光.
刘君武1，汤文明1，吕珺1，郑治祥1，王建民1，吴玉程1，徐光青1
(1.合肥工业大学材料科学与工程学院,安徽,合肥,230009)
摘要:采用溶胶-凝胶技术通过添加Ce(NO3)3制备了掺杂Ce3+离子的纳米SiO2材料,利用红外光谱、紫外-可见吸收光谱以及电子能谱等研究样品成分,并对不同热处理条件下样品的光致发光性能进行研究.结果表明,低温处理条件下样品中存在一定量的OH羟基,并且样品中的Ce离子主要以Ce3+的形式存在.在100-500℃较低温度下热处理的样品中存在两个峰值相近的光致发光带,最大值为344nm和357nm,其对应的最大激发峰分别为226nm和252nm.其中,344nm光致发光带起源于基体SiO2的缺陷中心,而357nm光致发光带起源于Ce3+的一种类液发光.
关键词:光致发光; Ce3+掺杂; 溶胶-凝胶技术; 纳米SiO2;
【全文内容正在添加中】
