激光功率对多孔硅微Raman谱的影响

万小军¹，李君求²，孙立来³，史向华²，任鹏²，刘小兵²，廖家欣²

(1.湖南城市学院计算机科学与技术系,益阳,413000;
2.长沙理工大学物理与电子科学学院,长沙,410076;
3.湖南文理学院物理系,常德,415000)

摘要:运用微Raman谱仪以不同功率的激光入射到用阳极脉冲腐蚀制备的多孔硅样品以研究多孔硅的稳定性.用斯托克斯与反斯托克斯散射强度的比率确定样品的温度.观察比较不同温度下多孔硅样品的Raman谱趋向,发现在激光功率和样品温度之间的关系曲线上有3个过程,与Raman频移和Raman强度的曲线相一致.所有现象都可以用Si-O键和非晶Si被氧化的机制进行解释.

关键词:多孔硅; 热稳定性; 微Raman谱; 激光功率;

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