UHV/CVD生长锗硅材料的偏析现象
来源期刊：材料科学与工程学报2004年第2期
论文作者：崔继锋 吴贵斌 叶志镇 黄靖云
关键词：锗硅合金; 表面偏析; 表面耗尽; 超高真空化学气相沉积;
摘 要：本文对利用超高真空CVD方法生长的Si1-xGex合金外延层中的锗表面分布情况和Ge在界面偏析现象进行了深入的研究.通过XPS和SIMS图谱的研究,指出表面由于锗的偏析,造成锗在体内和表面的含量不同,在低温时生长锗硅合金,表面氢原子的吸附可有效地抑制锗的偏析,但随着温度的升高,氢的脱附造成锗的偏析现象更加明显.
崔继锋1，吴贵斌1，叶志镇1，黄靖云1
(1.浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027)
摘要:本文对利用超高真空CVD方法生长的Si1-xGex合金外延层中的锗表面分布情况和Ge在界面偏析现象进行了深入的研究.通过XPS和SIMS图谱的研究,指出表面由于锗的偏析,造成锗在体内和表面的含量不同,在低温时生长锗硅合金,表面氢原子的吸附可有效地抑制锗的偏析,但随着温度的升高,氢的脱附造成锗的偏析现象更加明显.
关键词:锗硅合金; 表面偏析; 表面耗尽; 超高真空化学气相沉积;
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