交换耦合双层膜 NiO/Ni81Fe19的基片温度效应研究
来源期刊：无机材料学报1999年第6期
论文作者：胡作启 邱进军 林更琪 李震 卢志红 熊锐 李佐宜 郑远开
关键词：基片温度; 交换耦合; 矫顽力;
摘 要：用射频磁控溅射方法在不同基片温度下玻璃基片上分别制备NiO单层膜、NiFe单层膜和NiO/NiFe双层膜,研究了不同基片温度对膜的磁性能的影响. 用振动样品磁强计(VSM)分析了膜的磁特性,结果表明:基片温度260℃时淀积的NiFe膜矫顽力HC为184A·m-1,小于室温淀积NiFe膜的HC(584A·m-1),且磁滞回线的矩形度更好. 室温下淀积NiO(50 nm) /NiFe (15 nm) 双层膜的HC为4000A·m-1,交换耦合场(HEX)仅为1600A·m-1,磁滞回线的矩形度很差;而260℃时淀积的双层膜的HC下降到3120A·m-1,HEX却增大为4640A·m-1,同时磁滞回线的矩形度也得到改善,其截止温度TB高达230℃. X射线衍射(XRD)分析了膜的织构,结果表明:室温下淀积NiO膜呈现(220)织构,而260℃时淀积NiO膜呈现(111)织构;室温和260℃淀积的NiFe膜都呈(111)织构,但后者晶粒比前者大.
胡作启1，邱进军1，林更琪1，李震1，卢志红2，熊锐1，李佐宜1，郑远开1
(1.华中理工大学电子科学与技术系,武汉30074;
2.中国科学院上海冶金所,上海,200050)
摘要:用射频磁控溅射方法在不同基片温度下玻璃基片上分别制备NiO单层膜、NiFe单层膜和NiO/NiFe双层膜,研究了不同基片温度对膜的磁性能的影响. 用振动样品磁强计(VSM)分析了膜的磁特性,结果表明:基片温度260℃时淀积的NiFe膜矫顽力HC为184A·m-1,小于室温淀积NiFe膜的HC(584A·m-1),且磁滞回线的矩形度更好. 室温下淀积NiO(50 nm) /NiFe (15 nm) 双层膜的HC为4000A·m-1,交换耦合场(HEX)仅为1600A·m-1,磁滞回线的矩形度很差;而260℃时淀积的双层膜的HC下降到3120A·m-1,HEX却增大为4640A·m-1,同时磁滞回线的矩形度也得到改善,其截止温度TB高达230℃. X射线衍射(XRD)分析了膜的织构,结果表明:室温下淀积NiO膜呈现(220)织构,而260℃时淀积NiO膜呈现(111)织构;室温和260℃淀积的NiFe膜都呈(111)织构,但后者晶粒比前者大.
关键词:基片温度; 交换耦合; 矫顽力;
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