热处理温度对反应烧结碳化硅材料组织与性能的影响
来源期刊：耐火材料2000年第1期
论文作者：金志浩 高积强 黄清伟
关键词：碳化硅; 反应烧结; 热处理;
摘 要：研究了真空热处理温度对反应烧结碳化硅材料显微组织和断裂强度的影响.结果表明:反应烧结碳化硅中的游离硅在1600℃、1800℃真空热处理过程中已全部去除;经过1800℃真空热处理材料的强度均高于1600℃真空热处理材料的强度.在1800℃真空热处理过程中发生的碳化硅再结晶以及气孔形状的变化,是其强度较高的主要原因.
金志浩1，高积强1，黄清伟1
(1.西安交通大学材料科学与工程学院,西安,710049)
摘要:研究了真空热处理温度对反应烧结碳化硅材料显微组织和断裂强度的影响.结果表明:反应烧结碳化硅中的游离硅在1600℃、1800℃真空热处理过程中已全部去除;经过1800℃真空热处理材料的强度均高于1600℃真空热处理材料的强度.在1800℃真空热处理过程中发生的碳化硅再结晶以及气孔形状的变化,是其强度较高的主要原因.
关键词:碳化硅; 反应烧结; 热处理;
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