Si3P4和Ge3P4电子结构及光学性质的第一性原理研究
来源期刊：材料导报2014年第S2期
论文作者：刘芳 桑田 赵华 周武雷 杨宇
文章页码：163 - 338
关键词：Si3P4;Ge3P4;光学性质;第一性原理;
摘 要：采用基于密度泛函理论的广义梯度近似（GGA）,计算了赝立方结构的Si3P4和Ge3P4的基态稳定结构,以及它们的电子结构和光学性质。计算结果表明:Si3P4和Ge3P4均为间接带隙半导体,Si-P键及Ge-P键成键方式为共价键;Si3P4和Ge3P4均具有较大的静态介电常数;两者相比较而言,Ge3P4的反射率、折射率及吸收系数在数值上更大。从Si3P4和Ge3P4的能量损失函数中可知仅有外层电子参与了光学跃迁。计算结果为这两种材料的潜在应用提供了理论依据。
刘芳1，桑田1，赵华1，周武雷1，杨宇2
1. 黔南民族师范学院物理与电子科学系2. 云南大学光电信息材料研究所
摘 要：采用基于密度泛函理论的广义梯度近似（GGA）,计算了赝立方结构的Si3P4和Ge3P4的基态稳定结构,以及它们的电子结构和光学性质。计算结果表明:Si3P4和Ge3P4均为间接带隙半导体,Si-P键及Ge-P键成键方式为共价键;Si3P4和Ge3P4均具有较大的静态介电常数;两者相比较而言,Ge3P4的反射率、折射率及吸收系数在数值上更大。从Si3P4和Ge3P4的能量损失函数中可知仅有外层电子参与了光学跃迁。计算结果为这两种材料的潜在应用提供了理论依据。
关键词：Si3P4;Ge3P4;光学性质;第一性原理;
