侧链含偶氮基的聚硅氧烷类液晶高分子及其离聚物的合成与表征
来源期刊：高分子材料科学与工程2002年第3期
论文作者：胡建设 姜同英 邵兵 张宝砚
关键词：聚硅氧烷; 离聚物; 4-烯丙氧基-4′-硝基偶氮苯; 向列型;
摘 要：以4-烯丙氧基-4′-硝基偶氮苯(M1)和4-烯丙氧基苯甲酸(M2)为单体,通过与聚硅氧烷接枝聚合,合成了一系列聚合物PⅠ～PⅣ及离聚物PⅤ～PⅧ.合成的液晶单体、聚合物及离聚物的结构均通过红外或核磁的验证,并通过DSC、偏光显微镜和X射线衍射研究了其液晶行为,聚合物PⅡ～PⅣ及离聚物PⅤ～PⅦ均为向列型液晶.液晶基元的含量和离子基元的引入对液晶的玻璃化温度(Tg)、液晶相范围(ΔT)等有显著的影响.聚合物PⅠ～PⅣ随着液晶基元含量的增加,其Tg从98.8 ℃降低到61.9 ℃,相应地ΔT从19.8 ℃拓宽到43.6 ℃;离聚物PⅤ～PⅧ的液晶行为随着离子含量的增加,其清亮点(Tc)从166.2 ℃降低到134.5 ℃,ΔT也相应地缩短,当离子含量达到40%时,离聚物的液晶相消失.
胡建设1，姜同英1，邵兵1，张宝砚1
(1.东北大学化学系,辽宁,沈阳,110006)
摘要:以4-烯丙氧基-4′-硝基偶氮苯(M1)和4-烯丙氧基苯甲酸(M2)为单体,通过与聚硅氧烷接枝聚合,合成了一系列聚合物PⅠ～PⅣ及离聚物PⅤ～PⅧ.合成的液晶单体、聚合物及离聚物的结构均通过红外或核磁的验证,并通过DSC、偏光显微镜和X射线衍射研究了其液晶行为,聚合物PⅡ～PⅣ及离聚物PⅤ～PⅦ均为向列型液晶.液晶基元的含量和离子基元的引入对液晶的玻璃化温度(Tg)、液晶相范围(ΔT)等有显著的影响.聚合物PⅠ～PⅣ随着液晶基元含量的增加,其Tg从98.8 ℃降低到61.9 ℃,相应地ΔT从19.8 ℃拓宽到43.6 ℃;离聚物PⅤ～PⅧ的液晶行为随着离子含量的增加,其清亮点(Tc)从166.2 ℃降低到134.5 ℃,ΔT也相应地缩短,当离子含量达到40%时,离聚物的液晶相消失.
关键词:聚硅氧烷; 离聚物; 4-烯丙氧基-4′-硝基偶氮苯; 向列型;
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