压接型IGBT器件封装结构中PEEK框架的绝缘特性分析

王浩宇¹，赵志斌¹，付鹏宇¹，李金元²，张朋²

1. 华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室2. 全球能源互联网研究院先进输电技术国家重点实验室

摘 要：为了改善压接型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件子模组中聚醚醚酮(PEEK)框架的绝缘性能,探讨了PEEK电导率表征模型和测量方法,分析了电导率经验模型中引起电导率改变的主要因素及其对PEEK框架绝缘性能的影响。结果表明:温度为影响电导率变化的主要因素,但不同温度条件下的电场仿真计算表明,PEEK框架温度不影响IGBT器件中子模组的电场分布和绝缘性能。通过仿真计算发现,增大PEEK框架与芯片间气隙距离可以显著提高压接型IGBT器件的绝缘性能。

关键词：绝缘栅双极型晶体管;聚醚醚酮;绝缘;电导率;温度;