沉积电压对水热电泳沉积硅酸钇涂层显微结构的影响

黄剑锋¹，王雅琴¹，曹丽云¹，吴建鹏¹

(1.陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室,西安,710021)

摘要:采用水热电泳沉积法在SiC-C/C复合材料SiC内涂层表面制备了硅酸钇抗氧化外涂层,并借助X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对涂层的相组成及显微结构进行了表征.讨论了沉积电压对硅酸钇涂层沉积量及显微结构的影响,并研究了不同沉积电压下涂层沉积量与时间的关系,同时测试了涂层试样的抗氧化性能.研究结果表明,随着沉积电压的升高,涂层的沉积量有所增加,涂层的致密性和均匀性也逐渐得到改善.当电压为210V时达到最佳,继续升高沉积电压,涂层的均匀性变差,当沉积电压为240V时,涂层出现明显开裂;不同沉积电压下涂层沉积量随时间呈抛物线变化;涂层在1500℃静态空气中经过10h氧化后,失重仍然小于2%.

关键词:水热电泳沉积; C/C复合材料; 硅酸钇涂层; 沉积电压; hydrothermal electrophoretic deposition process; carbon/carbon composites; yttrium silicates coatings; deposition voltage;

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