RF溅射钕掺杂ZnO薄膜工艺与结构研究
来源期刊：功能材料2008年第5期
论文作者：文军 潘峰 陈长乐
关键词：Nd掺杂; ZnO薄膜; X射线衍射分析; 原子力显微镜; 射频磁控溅射;
摘 要：通过射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备了未掺杂和Nd掺杂ZnO薄膜,研究了衬底温度、氧分压以及Nd不同掺杂浓度等工艺参数对薄膜的影响.薄膜的结构和表面形貌通过XRD分析和AFM观测,表明制备的薄膜为ZnO:Nd纳米多晶薄膜,其表面形貌粗糙,不同沉积条件对薄膜生长有很大的影响.在纯氩气氛中、衬底温度为300℃的条件下,ZnO:Nd薄膜具有c轴择优取向.
文军1，潘峰1，陈长乐1
(1.西北工业大学,理学院应用物理系,陕西,西安,710072;
2.渭南师范学院,物理系,陕西,渭南,714000;
3.陕西理工学院,物理系,陕西,汉中,723001)
摘要:通过射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备了未掺杂和Nd掺杂ZnO薄膜,研究了衬底温度、氧分压以及Nd不同掺杂浓度等工艺参数对薄膜的影响.薄膜的结构和表面形貌通过XRD分析和AFM观测,表明制备的薄膜为ZnO:Nd纳米多晶薄膜,其表面形貌粗糙,不同沉积条件对薄膜生长有很大的影响.在纯氩气氛中、衬底温度为300℃的条件下,ZnO:Nd薄膜具有c轴择优取向.
关键词:Nd掺杂; ZnO薄膜; X射线衍射分析; 原子力显微镜; 射频磁控溅射;
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