碳化硅涂层的离子注入沉积改性

李舵¹，张立同¹，成来飞¹，徐永东¹，沈季雄¹，吴守军¹

(1.西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室,西安,710072)

摘要:采用全方位离子注入和沉积(Plasma Immersion Ion Implantation and Deposition,PⅢ&D),在SiC涂层表面形成注入沉积改性层(改性元素Al和Si),观察了离子注入和沉积对涂层表面裂纹的封填情况,分析了离子注入和沉积后涂层表面的相组成,考核了离子注入和沉积对SiC-C/SiC材料抗氧化性能的影响.实验结果表明:注入Al再注入沉积Si改性后显著降低复合材料在1300℃空气中的氧化质量损失,提高了复合材料的抗氧化能力,边注入边沉积Al和同时全方位沉积Al和Si改性对复合材料抗氧化性能改善作用较小,边注入边沉积Si改性改善复合材料抗氧化性能的作用最小.

关键词:碳/碳化硅复合材料; 碳化硅涂层; 离子注入和沉积; 抗氧化;

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