制备温度对多孔硅光学特性的影响
来源期刊：功能材料与器件学报2009年第2期
论文作者：李海波 孙卓 潘丽坤 孙长庆
关键词：多孔硅; 制备温度; 光特性; Porous silicon; Anodization; Optical behavior;
摘 要：本文不同的温度下制备多孔硅.通过荧光光谱、光吸收谱、X射线光电子谱研究了多孔硅的光和结构特性.研究结果表明存在着一个制备临界温度343 K,当制备温度从临界温度之下提高到临界温度之上时,多孔硅的荧光和光吸收从红移转向蓝移,同时硅2p电子结合能也从减小转向增大.
李海波1，孙卓1，潘丽坤1，孙长庆2
(1.华东师范大学物理系纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心,上海,200062;
2.新加坡南洋理工大学电子与电气工程学院,新加坡,639798)
摘要:本文不同的温度下制备多孔硅.通过荧光光谱、光吸收谱、X射线光电子谱研究了多孔硅的光和结构特性.研究结果表明存在着一个制备临界温度343 K,当制备温度从临界温度之下提高到临界温度之上时,多孔硅的荧光和光吸收从红移转向蓝移,同时硅2p电子结合能也从减小转向增大.
关键词:多孔硅; 制备温度; 光特性; Porous silicon; Anodization; Optical behavior;
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