热处理对高体积分数SiCp/Cu热膨胀性能的影响
来源期刊：材料热处理学报2009年第2期
论文作者：张强 陈国钦 修子扬 武高辉 朱德智
关键词：电子封装; SiCp/Cu复合材料; 热膨胀系数; 退火处理;
摘 要：采用挤压铸造法制备了SiC颗粒体积分数分别为50%、55%和60%的SiCp/Cu复合材料,并分析测试了体积分数和热处理状态对复合材料热膨胀性能的影响规律.显微组织观察表明:复合材料的组织致密,SiC颗粒分布均匀.热膨胀性能测试表明:铸态复合材料的平均线热膨胀系数(20～100℃)介于8.8～9.9×10-6/℃之间,且随SiC含量的增加而降低,实验值与Kemer模型预测值相符.退火处理町以减小基体中的热残余应力,有助于降低复合材料的热膨胀系数,退火态复合材料的热膨胀系数实验值与Turner模型预测值相符.
张强1，陈国钦1，修子扬2，武高辉1，朱德智1
(1.哈尔滨工业大学材料科学与工程学院,黑龙江,哈尔滨,150001;
2.哈尔滨工业大学基础与交叉科学研究院,黑龙江,哈尔滨,150001)
摘要:采用挤压铸造法制备了SiC颗粒体积分数分别为50%、55%和60%的SiCp/Cu复合材料,并分析测试了体积分数和热处理状态对复合材料热膨胀性能的影响规律.显微组织观察表明:复合材料的组织致密,SiC颗粒分布均匀.热膨胀性能测试表明:铸态复合材料的平均线热膨胀系数(20～100℃)介于8.8～9.9×10-6/℃之间,且随SiC含量的增加而降低,实验值与Kemer模型预测值相符.退火处理町以减小基体中的热残余应力,有助于降低复合材料的热膨胀系数,退火态复合材料的热膨胀系数实验值与Turner模型预测值相符.
关键词:电子封装; SiCp/Cu复合材料; 热膨胀系数; 退火处理;
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