热压烧结ITO靶材物相组成与电子结构研究

马晓波^1,2，孙本双¹，钟景明¹，王东新¹，陈焕铭²，张伟²

1. 西北稀有金属材料研究院国家钽铌特种金属材料工程技术研究中心2. 宁夏大学

摘 要：采用XRD、XPS对ITO固溶烧结前后物相结构及靶材表面In、Sn、O三元素价态进行表征和研究。结果发现:ITO固溶体中溶质与溶剂离子的半径差异较大是引发掺杂后XRD图谱谱峰偏移的主要原因;而XPS图谱中谱峰偏移则是Sn掺杂导致ITO导带中电子态占有率增加、Fermi能级升高的缘故。研究结果为制备成分、结构均匀的高密度ITO靶材提供了有益的参考。

关键词：ITO靶材;热压烧结;X射线衍射谱;X射线光电子能谱;