大规模集成电路用高纯铜及铜合金靶材研究与应用现状
来源期刊：材料导报2018年第S2期
论文作者：高岩 贺昕 刘晓
文章页码：111 - 234
关键词：集成电路;互连线;高纯;铜合金靶材;溅射;
摘 要：随着大规模集成电路制程向高密集度的方向发展,器件的特征尺寸不断缩小,集成度越来越高。在90nm后随着布线的宽度变窄,高纯铜及铜合金靶材的应用成为一个研究热点。本文通过多个专利及相关文献的检索,总结了高纯铜及铜合金靶材的分类,分析了高纯铜的纯度、合金元素的种类以及分布对高纯铜靶材溅射性能的影响,展望了今后大规模集成电路靶材的发展趋势。
高岩1,2，贺昕1,2，刘晓1,2
1. 有研亿金新材料有限公司2. 北京市高纯金属溅射靶材工程研究中心
摘 要：随着大规模集成电路制程向高密集度的方向发展,器件的特征尺寸不断缩小,集成度越来越高。在90nm后随着布线的宽度变窄,高纯铜及铜合金靶材的应用成为一个研究热点。本文通过多个专利及相关文献的检索,总结了高纯铜及铜合金靶材的分类,分析了高纯铜的纯度、合金元素的种类以及分布对高纯铜靶材溅射性能的影响,展望了今后大规模集成电路靶材的发展趋势。
关键词：集成电路;互连线;高纯;铜合金靶材;溅射;
