电偶腐蚀法制备多孔硅的研究
来源期刊：材料工程2006年第11期
论文作者：窦雁巍 宗杨 梁继然 胡明 房振乾
关键词：多孔硅; 电偶腐蚀法; 腐蚀条件; 厚度; 表面形貌;
摘 要：用电偶腐蚀法制备多孔硅,主要研究了铂电极的优化制备工艺以及腐蚀条件对多孔硅厚度的影响,并且结合SEM,AFM等测试手段对所制备的多孔硅的表面形貌进行了分析.实验发现,在相同的腐蚀条件下,多孔硅的厚度随铂电极的厚度以及铂电极与腐蚀硅片的面积比的增大而增大.
窦雁巍1，宗杨1，梁继然1，胡明1，房振乾1
(1.天津大学,电子信息工程学院,天津,300072)
摘要:用电偶腐蚀法制备多孔硅,主要研究了铂电极的优化制备工艺以及腐蚀条件对多孔硅厚度的影响,并且结合SEM,AFM等测试手段对所制备的多孔硅的表面形貌进行了分析.实验发现,在相同的腐蚀条件下,多孔硅的厚度随铂电极的厚度以及铂电极与腐蚀硅片的面积比的增大而增大.
关键词:多孔硅; 电偶腐蚀法; 腐蚀条件; 厚度; 表面形貌;
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