SiC晶须对反应合成多孔TiB2-TiC复合材料的影响
来源期刊：复合材料学报2016年第4期
论文作者：张艳凤 崔洪芝 宋晓杰 张珊珊 魏娜 王珂
文章页码：833 - 840
关键词：TiB2-TiC;SiC_w;多孔复合材料;反应合成;自蔓延高温合成法;
摘 要：以Ti、B4C和SiC晶须（SiCw）为原料,采用自蔓延高温合成法制备了多孔TiB<sub>2-TiC复合材料。讨论了SiCw含量对TiB<sub>2-TiC复合材料物相、组织形貌、孔隙率和抗压强度的影响。结果表明:不添加SiCw时,复合材料中主要物相为贫硼相TiB和Ti3B4以及TiC和少量TiB<sub>2;在5Ti+B4C体系中加入SiCw后,贫硼相TiB和Ti3B4逐渐减少直至消失,而出现富硼相TiB<sub>2和TiC的含量增加。随着SiCw含量的增加,复合材料的孔隙率逐渐增加,由38.46%增加至52.78%。当SiCw含量小于1.0时,随着SiCw含量的增加,多孔TiB2-TiC复合材料的抗压强度明显增加,当SiCw含量为1.0时,复合材料的抗压强度达到最大值56.04MPa。Ti与SiCw反应会生成TiC、Ti3SiC2和TiSi2等物相,消耗一定量的Ti,使得与B4C反应的Ti量减少,从而促进富硼相TiB2形成和TiC的增多。并且在SiCw表面形成颗粒状TiC或者层片状Ti3SiC2,增加SiCw与TiB2-TiC基体之间的结合,更有利于发挥SiCw的强化作用。
张艳凤，崔洪芝，宋晓杰，张珊珊，魏娜，王珂
山东科技大学材料科学与工程学院
摘 要：以Ti、B4C和SiC晶须（SiCw）为原料,采用自蔓延高温合成法制备了多孔TiB<sub>2-TiC复合材料。讨论了SiCw含量对TiB<sub>2-TiC复合材料物相、组织形貌、孔隙率和抗压强度的影响。结果表明:不添加SiCw时,复合材料中主要物相为贫硼相TiB和Ti3B4以及TiC和少量TiB<sub>2;在5Ti+B4C体系中加入SiCw后,贫硼相TiB和Ti3B4逐渐减少直至消失,而出现富硼相TiB<sub>2和TiC的含量增加。随着SiCw含量的增加,复合材料的孔隙率逐渐增加,由38.46%增加至52.78%。当SiCw含量小于1.0时,随着SiCw含量的增加,多孔TiB2-TiC复合材料的抗压强度明显增加,当SiCw含量为1.0时,复合材料的抗压强度达到最大值56.04MPa。Ti与SiCw反应会生成TiC、Ti3SiC2和TiSi2等物相,消耗一定量的Ti,使得与B4C反应的Ti量减少,从而促进富硼相TiB2形成和TiC的增多。并且在SiCw表面形成颗粒状TiC或者层片状Ti3SiC2,增加SiCw与TiB2-TiC基体之间的结合,更有利于发挥SiCw的强化作用。
关键词：TiB2-TiC;SiC_w;多孔复合材料;反应合成;自蔓延高温合成法;
