1.08μmInAs/GaAs量子点激光器光学特性研究
来源期刊：功能材料与器件学报2000年第3期
论文作者：张秀兰 钱家骏 刘峰奇 陈涌海 叶小玲 韩勤 梁基本 徐波 张金福 丁鼎 王占国
关键词：InAs/GaAs应变自组装量子点材料; 量子点激光器; 电致发光谱(EL); MBE外延生长;
摘 要：介绍了InAs/GaAs量子点激光器的材料生长,器件制备及其光学特性的研究.器件为条宽100μm,腔长1600μm未镀膜激器.室温阈值电流密度为221A/cm2,激射波长为1.08μm,连续波工作最大光功率输出为2.74W(双面),外微分效率为88%,经50oC,1000h老化,仍有>1.2W的光功率输出.
张秀兰1，钱家骏1，刘峰奇1，陈涌海1，叶小玲1，韩勤1，梁基本1，徐波1，张金福1，丁鼎1，王占国1
(1.中国科学院半导体研究所,半导体材料科学实验室,北京100083)
摘要:介绍了InAs/GaAs量子点激光器的材料生长,器件制备及其光学特性的研究.器件为条宽100μm,腔长1600μm未镀膜激器.室温阈值电流密度为221A/cm2,激射波长为1.08μm,连续波工作最大光功率输出为2.74W(双面),外微分效率为88%,经50oC,1000h老化,仍有>1.2W的光功率输出.
关键词:InAs/GaAs应变自组装量子点材料; 量子点激光器; 电致发光谱(EL); MBE外延生长;
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