Ti3+掺杂SiO2/甲基三乙氧基硅烷复合薄膜的制备
来源期刊：功能材料2008年第9期
论文作者：肖波 江波 曹聪蕊 蒋晓东 蓝芳 袁晓东
关键词：三氯化钛; 甲基三乙氧基硅烷; 二氧化硅薄膜; 溶胶-凝胶;
摘 要：采用溶胶-凝胶(sol-gel)法,以正硅酸乙酯TEOS/甲基三乙氧基硅烷(MTES)为先驱物,浓盐酸为催化剂,制备了掺杂不同三氯化钛(TiCl3)浓度的SiO2/MTES复合薄膜.采用荧光分光光度计、扫描探针显微镜、红外光谱仪、X光衍射仪等仪器对膜层性质进行了分析.结果表明,掺杂4%、3%、2%、1%TiCl3的SiO2/MTES复合薄膜分别在250nm附近有一弱激发峰,294nm附近有一强激发峰,在393nm附近出现一强发射峰;掺杂3%的复合薄膜荧光发射强度达到值最大.与Ti3+掺杂的常规SiO2薄膜比较,Ti3+掺杂的SiO2/MTES复合薄膜的荧光强度更稳定.
肖波1，江波1，曹聪蕊1，蒋晓东2，蓝芳1，袁晓东2
(1.四川大学,化学学院,四川,成都,610064;
2.中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900)
摘要:采用溶胶-凝胶(sol-gel)法,以正硅酸乙酯TEOS/甲基三乙氧基硅烷(MTES)为先驱物,浓盐酸为催化剂,制备了掺杂不同三氯化钛(TiCl3)浓度的SiO2/MTES复合薄膜.采用荧光分光光度计、扫描探针显微镜、红外光谱仪、X光衍射仪等仪器对膜层性质进行了分析.结果表明,掺杂4%、3%、2%、1%TiCl3的SiO2/MTES复合薄膜分别在250nm附近有一弱激发峰,294nm附近有一强激发峰,在393nm附近出现一强发射峰;掺杂3%的复合薄膜荧光发射强度达到值最大.与Ti3+掺杂的常规SiO2薄膜比较,Ti3+掺杂的SiO2/MTES复合薄膜的荧光强度更稳定.
关键词:三氯化钛; 甲基三乙氧基硅烷; 二氧化硅薄膜; 溶胶-凝胶;
【全文内容正在添加中】
