直流热阴极PCVD法制备金刚石厚膜
来源期刊：新型炭材料2002年第2期
论文作者：姜志刚 白亦真 吕宪义 金曾孙
关键词：热阴极; PCVD; 金刚石厚膜;
摘 要：建立和发展了非脉冲式的直流热阴极PCVD(Plasma Chemical Vapour Deposition)方法.通过采用温度为1100℃～1500℃的热阴极以及阴极和阳极尺寸不相等配置,在大的放电电流和高的气体气压下实现了长时间稳定的辉光放电,并用这种方法制备出大尺寸高质量的金刚石厚膜,其厚膜直径为40mm～50mm,膜厚为～4.2mm,生长速率最高达到25μm/h左右,在5μm/h～10μm/h的生长速率下制出的金刚石厚膜,热导率一般在10W/K*cm～12W/K*cm.高导热金刚石厚膜用做半导体激光二极管列阵的热沉和MCM的散热绝缘基板,明显地改善了它们的性能.
姜志刚1，白亦真1，吕宪义1，金曾孙1
(1.吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130023)
摘要:建立和发展了非脉冲式的直流热阴极PCVD(Plasma Chemical Vapour Deposition)方法.通过采用温度为1100℃～1500℃的热阴极以及阴极和阳极尺寸不相等配置,在大的放电电流和高的气体气压下实现了长时间稳定的辉光放电,并用这种方法制备出大尺寸高质量的金刚石厚膜,其厚膜直径为40mm～50mm,膜厚为～4.2mm,生长速率最高达到25μm/h左右,在5μm/h～10μm/h的生长速率下制出的金刚石厚膜,热导率一般在10W/K*cm～12W/K*cm.高导热金刚石厚膜用做半导体激光二极管列阵的热沉和MCM的散热绝缘基板,明显地改善了它们的性能.
关键词:热阴极; PCVD; 金刚石厚膜;
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