等离子体浸没式离子注入-离子束增强沉积TiN膜研究
来源期刊：材料开发与应用2003年第5期
论文作者：柳襄怀 黄楠 王钧石 王良辉 孙宏
关键词：等离子体浸没式离子注入-离子束增强沉积(PIII-IBAD); TiN膜; 显微硬度; 摩擦性能;
摘 要：本文采用一种新型的等离子体浸没式离子注入-离子束增强沉积的技术(PIII-IBAD),在Cr12MoV钢基体上制备出了TiN膜,对沉积膜的组织进行了光电子能谱分析,并对沉积膜进行了硬度检测、摩擦试验及磨痕形貌分析.试验结果表明,沉积膜中的组织为TiN、TiO2和Ti2O3,TiN膜具有高达Hv3200的高硬度和极其优良的摩擦性能.
柳襄怀1，黄楠2，王钧石2，王良辉2，孙宏2
(1.上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;
2.西南交通大学,成都,610031)
摘要:本文采用一种新型的等离子体浸没式离子注入-离子束增强沉积的技术(PIII-IBAD),在Cr12MoV钢基体上制备出了TiN膜,对沉积膜的组织进行了光电子能谱分析,并对沉积膜进行了硬度检测、摩擦试验及磨痕形貌分析.试验结果表明,沉积膜中的组织为TiN、TiO2和Ti2O3,TiN膜具有高达Hv3200的高硬度和极其优良的摩擦性能.
关键词:等离子体浸没式离子注入-离子束增强沉积(PIII-IBAD); TiN膜; 显微硬度; 摩擦性能;
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