稀有金属 2004,(05),847-851 DOI:10.13373/j.cnki.cjrm.2004.05.009
La0.7-x Smx Sr0.3 MnO3 中的晶格效应
刘宁 童伟 徐素军 张裕恒
宿州学院巨磁材料研究室,宿州学院巨磁材料研究室,中国科学技术大学结构分析重点实验室,中国科学技术大学结构分析重点实验室,中国科学技术大学结构分析重点实验室 安徽宿州234000 ,安徽宿州234000,中国科学技术大学结构分析重点实验室,安徽合肥230026 ,安徽合肥230026 ,安徽合肥230026 ,安徽合肥230026
摘 要:
研究了La0 .7-xSmxSr0 .3MnO3 (x =0 .0 0 , 0 .10 , 0 .2 0 , 0 .3 0 ) 体系的红外光谱 , 拉曼光谱 , M T曲线 , ESR曲线 , ρ T曲线和MR T曲线。实验结果表明 :随着Sm掺入量的增加 , 体系从长程铁磁有序向自旋团簇玻璃态、反铁磁态转变 , 样品的居里温度下降 , 金属 绝缘体相变温度逐渐降低 , 对应的峰值电阻渐渐增大 , 磁电阻迅速增加 , 样品物理量发生的变化可以用晶格效应来解释。
关键词:
凝聚态物理 ;晶格效应 ;巨磁电阻效应 ;稀土 ;
中图分类号: TB34
作者简介: 刘宁, 通讯联系人 (Email:liuning.szsz@163.com) ;
收稿日期: 2003-12-16
基金: 国家自然科学基金重点项目 ( 10 3 3 40 90 ); 国家重点基础研究发展规划项目 ( 0 0 1CB610 60 4);
Lattice Effects in La0.7-x Smx Sr0.3 MnO3
Abstract:
The Infrared spectrum, Raman spectrum, M-T curves, ESR curves, ρ-T curves and MR-T curves of La 0.7-xSm xSr 0.3MnO 3 (x=0.00, 0.10, 0.20 and 0.30) were studied. The experimental results indicate that with increasing Sm doping, the system undergoes a transition from long range ferromagnetic order to the cluster-spin glass state and further to antiferromagnetic order, the Curie temperature decreases monotonously, the phase transition temperature of metal-isolator for the materials decreases monotonously, the corresponding peak resistance increases gradually and the magnetoresistance increases quickly. The effects of doping Sm can be explained by the lattice effect.
Keyword:
condenser physics; lattice effect; colossal magnetoresistance effect; rare earths;
Received: 2003-12-16
1993年Helmot等
[1 ,2 ,3 ,4 ]
在La2/3 Ba1/3 MnO3 薄膜中观察到的庞磁电阻 (CMR) 效应, 使具有类钙钛矿型结构的稀土锰氧化物受到人们的广泛关注。 这类化合物具有RE1-x Tx MnO3 型结构, 其中RE为三价稀土离子, T为二价碱土离子。 对于CMR效应的起源人们提出了各种理论模型, 其中最重要的是双交换作用和Jahn-Teller效应, 当改变碱土元素的品种和含量时, 上述两种都会发生相应变化, 从而可以灵敏地改变这类化合物的性质和CMR效应。 另一方面, 如果保持碱土元素不变, 而用具有不同半径的第二类稀土离子对化合物中的RE进行替代, 即采用 (RE1-y REby ) 1-x Tx MnO3 的双稀土结构 (其中REb 为第二类稀土离子) , 则可保持Mn3+ 和Mn4+ 的比例不变, 只改变A位阳离子的平均半径〈r A 〉和磁性, 通过尺寸效应和磁效应改变化合物的性质和CMR效应。 这方面人们已作了一些有效的研究工作
[3 ,5 ]
。 本文在La0.7 Sr0.3 MnO3 化合物中, 选用离子半径较小的Sm替代La (La和Sm 离子半径分别为0.122和0.113 nm) , 研究材料的结构、 磁性、 电性和磁电阻效应的变化规律。 结果表明: 随着Sm掺入量的增加, 样品的金属-绝缘体相变温度逐渐降低, 对应的峰值电阻渐渐增大, 居里温度下降, 样品的磁电阻迅速增加, Sm 掺杂引起物理量发生的变化可用晶格效应来解释。
1 实 验
用固相反应法制备了La0.7-x Smx Sr0.3 MnO3 (x =0.00, 0.10, 0.20, 0.30) 多晶样品, 其制备过程简述如下: 将高纯度的La2 O3 , SrO3 , Sm2 O3 和MnO2 化学试剂按名义组分进行配比, 经充分混合和研磨后在900 ℃预烧12 h, 研磨后在1000 ℃加热12 h, 1200 ℃加热24 h, 以获得良好的结晶, 最后被压片成型, 并在1400 ℃烧结24 h, 切割成薄的长形块状样品。
样品的粉末X射线衍射 (XRD) 在Rigaku-D/max-γA 衍射仪上用高强度的Cu K α射线进行, 用以检查样品的结构变化和相的纯度。 M -T 曲线的测量使用的是Lake Shore振动样品磁强计 (VSM) , 分别在零场和0.01 T磁场中将样品冷却到5 K, 再升温测量。 拉曼曲线的测量在SPEX-1403激光拉曼谱仪上进行。 红外曲线的测量在傅立叶变换红外光谱仪 (Nicolet 700) 上进行, 实验中取少量样品压碎, 以KBr为载体, 压成薄片, 测量其透射谱, 测量波数范围350~850 cm-1 。 零场和磁场下 (H =0, 6 T) 的电阻率用标准的四引线方法测量, 测量所用的电流根据被测样品阻值大小, 维持在1~10 mA之间的某一定值, 以满足所需的灵敏度。
2 结果与讨论
2.1 晶格畸变对体系结构的影响
样品粉末的X射线衍射图谱如图1所示, XRD图谱显示掺杂体系所有样品都是钙钛矿立方单相结构。
样品红外透射谱如图2所示, 位于595 cm-1 左右的伸缩模对Mn—O—Mn键长非常敏感, 位于390 cm-1 的弯曲模对Mn—O—Mn键角比较敏感。 由图2可见, 在实验测量的范围内只有伸缩模红外透射谱峰被观察到, 可以看出随Sm掺杂量的增大, 伸缩模峰趋向最小, 吸收峰位置基本未变, 说明随Sm掺杂的增加, Mn—O—Mn键长变化较大。
样品的拉曼光谱如图3所示, 体系拉曼光谱反应了氧原子外部振动以及MnO6 八面体畸变的高频或低频振动模式, 由3个基本结构组成, 分别处于200, 465和640 cm-1 , 其中200, 465 cm-1 的波带强度与Mn—O—Mn键角变化相联系, 640 cm-1 波带强度与Mn—O—Mn键长变化相联系
[6 ]
。 由图3可见, 当掺杂量从0.00增加到0.10时, 200 cm-1 处的波带强度随含量增加明显增强, 从0.2增加到0.30时, 640 cm-1 处的波带强度随含量增加明显增强, 两处峰值的变化说明了随掺杂量的增加, Mn—O—Mn的键角和键长均发生变化。
图1 La0.7-xSmxSr0.3MnO3系列样品的X射线衍射图
Fig.1 X-ray diffraction patterns of La0.7-x Smx Sr0.3 MnO3 samples
图2 La0.7-xSmxSr0.3MnO3系列样品的红外透射谱
Fig.2 Infrared transmission spectrum of La0.7-x Smx Sr0.3 MnO3 samples
图3 La0.7-xSmxSr0.3MnO3系列样品的拉曼光谱
Fig.3 Raman spectrum of La0.7-x Smx Sr0.3 MnO3 samples
2.2 晶格畸变对磁性的影响
样品的M —T 关系如图4所示。 从图4可以看出, 随着掺杂的增加, 体系的磁结构表现出3种情况: (1) x =0.00时, 样品的零场冷却 (ZFC) 和加场冷却 (FC) 的磁化曲线基本是一致的, 顺磁 (PM) 到铁磁 (FM) 相变很陡, 相变后体系展示出典型的FM特征, 表现为长程铁磁有序。 (2) x =0.1时, ZFC和FC曲线在T C 以下明显不同, 随温度的降低样品表现为自旋团簇玻璃态特征。 (3) x =0.2, 0.3时, 温度降低到一定程度时, ZFC和FC跌落很快, 表现为反铁磁 (AFM) 的特征。 (4) 样品的磁化强度随掺杂浓度的提高出现了先降低, 后增加的现象。
图4 La0.7-xSmxSr0.3MnO3系列样品在0.01 T下的M—T曲线
Fig.4 M —T curves of La0.7-x Smx Sr0.3 MnO3 samples at a 0.01 T magnetic field
在选择Sm掺杂时, Sm的磁性 (μ eff ~1.65μ B ) 可能导致T C 的提高和M 的增强; 另一方面考虑到Sm的离子半径<r Sm > (r Sm =0.113 nm) 小于La的离子半径<r La > (r La =0.122 nm) , Sm掺杂引起的晶格畸变将导致T C (定义在M -T 曲线上dM /dT 的极值处) 的降低和M 的减弱。 表1给出样品的居里温度T C 随成分x 的变化关系。 从表1可以看出, 随x 增加, T C 单调下降, PM-FM相变推向低温区。 这可以理解为随Sm掺杂量的增加, 稀土离子平均半径〈r A 〉减小, 公差因子t 变小, Mn—O—Mn的键长和键角发生畸变, 从而削弱了双交换作用
[7 ]
, 导致居里点下降。
掺Sm体系的PM-FM相变与其他掺杂有着明显不同, 就是体系的磁相变很陡, 为了澄清这个现象, 用ESR 谱研究其微观磁性。 图5给出了样品体系的ESR谱。 从图5可以看到, 对x =0.00, 0.10, 0.20, 0.30样品在高于370, 340, 310和250 K都是g ≈2的PL线, 而在360, 330, 300和240 K都是g <2的FL单线, 出现FL线的温度均在M —T 曲线 (图4) 出现FM态的居里温度T C 附近。 但这些ESR 线与以往报道的不同, 以往报道的大多数体系PM-FM相变温区很宽, ESR 线总是从PL到劈裂出双线 (即在同一温度下ESR 谱存在双峰) , 其中一个是PL线, 另一个是低场区的FL线, 随温度降低PL强度逐渐减弱, FL 逐渐飘移向低场, 在达到某一温度时PL消失, 只存在FL。 对La0.7-x Smx Sr0.3 MnO3 体系, 相变温区很窄, 在ESR 测量间隔的10 K内已完成PM-FM 相变。 所以在ESR 曲线中没有观察到劈裂峰, 这也说明La0.7-x Smx Sr0.3 MnO3 体系的磁相变的确很陡。
表1La0.7-xSmxSr0.3MnO3系列样品的TC, TP随x的变化关系
Table 1 Relations between x and T C , T P of La 0.7-x Sm x Sr 0.3 MnO 3 samples
样品
x =0.00
x =0.10
x =0.20
x =0.30
T C /K
364
341
295
243
T p /K
365
345
312
259
体系磁结构的变化与Sm在A位的占位情况和磁性是紧密相关的。 当x =0.00时, 体系中是Mn—O—Mn的长程铁磁有序占主导地位, 不论是PM-FM相变和与其相关的IM相变都与以前报道
[5 ]
的很一致。
对掺杂样品, Sm无规地分布于La—O层中, 该层的La—O—La (Sr) 链被逐渐破坏, La (Sr) —O—Sm亚晶格逐渐形成。 Sm离子的随机分布, 导致Mn亚晶格中产生随机的磁势, 使Mn—O—Mn长程铁磁序被破坏, 导致Mn—O—Mn团簇 (短程铁磁序) 形成。 随掺杂量的增大, Sm离子不再以单个离子无规的分布于La—O层, 形成越来越多的Sm—O—Sm链, 使Sm—O—Sm变为磁性层, 它和Mn—O—Mn形成两个亚晶格层。 根据Néel双子格模型, Sm—O—Sm和 Mn—O—Mn亚晶格内部是铁磁性排列, 而Mn亚晶格与Sm亚晶格是反铁磁排列的。
图5 La0.7-xSmxSr0.3MnO3系列样品的ESR曲线 (a) x=0.00; (b) x=0.10; (c) x=0.20; (d) x=0.30
Fig.5 ESR curves of La0.7-x Smx Sr0.3 MnO3 samples
当x =0.10时, Sm掺杂虽然在La—O层中阻断了La—O—La (Sr) 链形成La (Sr) —O—Sm, 但还没有形成Sm—O—Sm关联, 无规分布的Sm的磁势和库仑势使Mn—O—Mn不能形成均匀的长程序, 而造成Mn—O—Mn团簇, 形成自旋团簇玻璃态。 因为长程铁磁有序被破坏, 所以T C 降低, M 减弱。
当x =0.20, 0.30时, Sm逐步由无规排列向Sm—O—Sm链有序排列过度, 在低温区形成了Sm—O—Sm与Mn—O—Mn是反铁磁排列, 从而形成反铁磁状态。 随着温度的升高热涨落开始起作用, 达到一定温度时, 热效应提供的能量使Sm亚晶格的磁矩发生旋转, 趋于平行外磁场, 导致测量到的磁化强度在一定程度上的增加, 所以x =0.20, 0.30样品的磁化强度随掺杂增加而上升, 这说明虽然Sm磁矩较小, 但掺杂也引起了磁性的竞争
[8 ]
。
2.3 晶格畸变对输运行为的影响
样品零场和磁场下 (6 T) 的电阻率ρ —T 的关系曲线如图6所示。
x =0.0样品的导电行为与通常的铁磁金属的导电行为类似, 与以前的报道一致。 x =0.1, 0.2, 0.3样品IM转变温度T p (定义为dρ /dt =0的温度点) 也列在表1中, 其温度值比相应的居里温度T C 高, 当T >T p 时, 其导电行为属于顺磁背景下的半导体型导电; T <T p 时, 属于铁磁背景下的金属导电性, 随掺杂量的增大, 阻值逐渐增加, 且转变温度向低温温区移动, 在6 T磁场下电阻率峰被压低, 这是由于6 T磁场的作用使得Sm和Mn不能形成反铁磁排列, 低温下的绝缘体行为被抑制, 电阻率大大降低, 在T <T p 温区呈现金属性, 以致出现超大磁阻行为。 对于T p 和ρ m 随成分x 的变化可以用晶格效应来解释, 在La0.7 Sr0.3 MnO3 中, 当用离子半径较小的Sm替代La时, 随着Sm含量的增加, 平均离子半径逐渐减小, Mn—O—Mn的键角也逐渐弯曲, 使锰离子互相靠近, 从而改变了电子在Mn格点上的跳越过程, 引起T p 的下降和ρ m 的增大。 这种结果与直观感觉相反, Hwang等
[7 ]
称之为“反直观”结果。
样品的MR —T 曲线如图7所示, 这里MR定义为
Μ R ( % ) = ρ ( 0 ) - ρ ( Η ) ρ ( Η ) × 1 0 0 %
图6 La0.7-xSmxSr0.3MnO3 系列样品零场和6 T下电阻率与温度的关系
Fig.6 ρ -T curves of La0.7-x Smx Sr0.3 MnO3 samples under zero field and 6 T
由图7可见, 随着Sm掺杂浓度的增加, A位离子平均半径<r A >减小, MR峰值温度单调下降, MR值迅速增加, 这是由于<r A >对Mn3+ /Mn4+ 有直接影响, 因而影响电荷有序化, 较大的<r A >对双交换有利, 所以调节A点的离子半径可以改变磁电阻。 Hwang等
[7 ]
详细研究了在La0.7 Ca0.3 MnO3 中, 用离子半径较小的Pr或Y替代La时, 发现MR随A位离子平均半径的减小有规律的增加。 我们的实验再一次看出晶格尺寸所起的作用, 也证实了Hwang等的推论。
图7 La0.7-xSmxSr0.3MnO3 样品的MR—T曲线
Fig.7 MR —T curves of La0.7-x Smx Sr0.3 MnO3 samples
3 结 论
1. 随着Sm掺杂量的增加, 样品的居里温度T C 逐渐下降, 金属-绝缘体相变温度T p 逐渐降低, 对应的电阻率峰值渐渐增大, 磁电阻MR 迅速增加。
2. 改变A位稀土离子的平均半径〈r A 〉, 使晶格产生畸变, 从而引起样品各物理量发生变化。
参考文献
[1] HelmoltRV , WeckerJ, HolzapfelB , etal. Giantnegativemagnetoresistancein perovskitelikeLa2/3Ba1/3MnO3ferromag netic films[J].Phys.Rev.Lett., 1993, 71 (14) :2331.
[2] JinS , TiefelTH , Mccormack, etal. ThousandfoldchangeinresistivityinmagnetoresistiveLaCaMnO [J].Science, 1994, 264 (15) :413.
[3] JinS , BryanHM , TiefelTH , etal. LargemagnetoresistanceinpolycrystallineLaCaMnO [J].Appl.Phys.Lett., 1995, 66 (3) :382.
[4] MoritomoY , AsamisuA , KuwaharaH , etal. Giantmagne toresistanceofmanganeseoxideswithalayeredperovskitestruc ture[J].Nature, 1996, 380 (14) :141.
[5] 刘 宁, 童 伟, 张裕恒. La0.7-xGdxSr0.3MnO3中的相分离和输运行为[J].中国稀土学报, 2003, 21 (5) :512.
[6] LiarokapisE , LeventouriT , LampakisD , etal. LocallatticedistortionsandRamanspectraintheLa1-xCaxMnO3system[J].Phys.Rev.B , 1999, 60:12758.
[7] HwangHY , CheongSW , RadaelliPG , etal. Latticeeffect sonthemagnetoresistanceindopedLaMnO3[J].Phys.Rev.Lett., 1995, 75 (5) :914.
[8] 李国庆, 鲜于泽, 袁 工. 庞磁电阻效应样品中的低温电阻率反常现象[J].东北大学学报, 2001, 22 (1) :111.