Opto-electronic properties of ZnSSe films for liquid crystal light valve
来源期刊：功能材料与器件学报2002年第4期
论文作者：韩高荣 杜丕一 沈大可
关键词：分子束外延; ZnSSe薄膜; 光电特性; 液晶光阀; MBE; ZnSSe thin films; opto-electronic properties; LCLV;
摘 要：用分子束外延法(MBE),在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃衬底上生长了ZnSSe薄膜,详细研究了薄膜的光电特性.通过控制反应时的生长参数,制备出了符合紫外液晶光阀设计要求的光导层薄膜.室温下,该薄膜光谱响应截止边的响应度为0.01A/W,紫外/可见光响应对比度大于103.薄膜的暗电阻率随薄膜晶粒增大而减小,在衬底温度为2900C时,所获得的ZnSSe薄膜具有4.3×1011Ω@cm的暗电阻率.频率从40Hz到4000Hz的交流特性测试,也证实该薄膜符合器件紫外成像的工作要求.
韩高荣1，杜丕一1，沈大可1
(1.浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;
2.香港科技大学物理系,香港九龙)
摘要:用分子束外延法(MBE),在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃衬底上生长了ZnSSe薄膜,详细研究了薄膜的光电特性.通过控制反应时的生长参数,制备出了符合紫外液晶光阀设计要求的光导层薄膜.室温下,该薄膜光谱响应截止边的响应度为0.01A/W,紫外/可见光响应对比度大于103.薄膜的暗电阻率随薄膜晶粒增大而减小,在衬底温度为2900C时,所获得的ZnSSe薄膜具有4.3×1011Ω@cm的暗电阻率.频率从40Hz到4000Hz的交流特性测试,也证实该薄膜符合器件紫外成像的工作要求.
关键词:分子束外延; ZnSSe薄膜; 光电特性; 液晶光阀; MBE; ZnSSe thin films; opto-electronic properties; LCLV;
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