磁控溅射法中添加氢气对制备立方氮化硼厚膜的影响

来源期刊：超硬材料工程2016年第5期

论文作者：赵艳 殷红 李红东

文章页码：22 - 26

关键词：立方氮化硼;射频磁控溅射;偏压;厚膜;

摘    要：采用两步沉积法利用射频磁控溅射手段在p型硅片<100>面上生长立方氮化硼（c-BN）厚膜,在常规的氩气和氮气混合工作气体中加入了氢气,并研究了不同氢气流量比、衬底温度以及衬底偏压等工作参数对c-BN膜的立方相含量和沉积速率的影响。利用扫描电子显微镜（SEM）、傅里叶变换红外光谱（FTIR）及X射线衍射谱（XRD）对所制得的c-BN膜进行了表征和分析。实验结果表明,在衬底负偏压为-100V和氢气流量为7.5cm3/min时,所制得的c-BN膜立方相含量高于90%,且稳定性最佳,厚度可达4微米以上,为c-BN膜在工业保护涂层等方面的应用奠定了良好基础。