LPCVD-Si3N4工艺及性能研究
来源期刊：稀有金属材料与工程2007年增刊第1期
论文作者：韩爽 杜海生 蒋凯辉 胡海峰
关键词：氮化硅薄膜; CVD; 沉积速率; 化学组成;
摘 要：使用低压化学气相沉积工艺(LPCVD),以三氯硅烷和氨气作为硅源和氮源,在烧结氮化硅表面制备氮化硅薄膜.分别考察了载气、沉积温度以及原料配比等工艺参数对沉积速率的影响,并对薄膜的组成、结构及硬度等性能进行了分析.结果表明,较好的工艺条件是,采用N2或N2+H2为载气、沉积温度为800℃,NH3/HSiCl3流量比为4,此时薄膜沉积速率可达23.4 nm/min,其主要由Si-N组成,并含有部分Si-O,硬度为28 650 MPa.
韩爽1，杜海生1，蒋凯辉1，胡海峰2
(1.海军工程大学天津校区军港与海防工程系,天津,300450;
2.国防科技大学航天与材料工程学院CFC重点实验室,湖南,长沙,410073)
摘要:使用低压化学气相沉积工艺(LPCVD),以三氯硅烷和氨气作为硅源和氮源,在烧结氮化硅表面制备氮化硅薄膜.分别考察了载气、沉积温度以及原料配比等工艺参数对沉积速率的影响,并对薄膜的组成、结构及硬度等性能进行了分析.结果表明,较好的工艺条件是,采用N2或N2+H2为载气、沉积温度为800℃,NH3/HSiCl3流量比为4,此时薄膜沉积速率可达23.4 nm/min,其主要由Si-N组成,并含有部分Si-O,硬度为28 650 MPa.
关键词:氮化硅薄膜; CVD; 沉积速率; 化学组成;
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