氨化Si基Ga2O3/Ti制备GaN纳米线
来源期刊：功能材料2007年第2期
论文作者：艾玉杰 陈金华 孙莉莉 孙传伟 张晓凯 薛成山 庄惠照 李红 王福学
关键词：磁控溅射; 氨化; GaN薄膜; Ti;
摘 要：采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/Ti薄膜,然后在950℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜.X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、选区电子衍射(SAED)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)的结果表明采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线.通过扫描电镜(SEM)观察发现纳米线的形貌,纳米棒的尺寸在50～150nm之间.
艾玉杰1，陈金华1，孙莉莉1，孙传伟2，张晓凯1，薛成山1，庄惠照1，李红1，王福学1
(1.山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014;
2.济南大学,信息科学与工程学院,山东,济南,250022)
摘要:采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/Ti薄膜,然后在950℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜.X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、选区电子衍射(SAED)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)的结果表明采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线.通过扫描电镜(SEM)观察发现纳米线的形貌,纳米棒的尺寸在50～150nm之间.
关键词:磁控溅射; 氨化; GaN薄膜; Ti;
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