4H-SiC隐埋沟道MOSFET亚阈特性研究

张玉明¹，汤晓燕¹，张义门¹，郜锦侠¹

(1.宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子学院,西安,710071)

摘要:在推导一个等效沟道厚度模型的基础上,对SiC隐埋沟道MOSFET亚阈特性进行了研究.首先利用泊松方程的解对等效沟道厚度的计算式进行了推导,计算结果表明,在N+D/N-A≤43的情况下,等效沟道厚度与栅压和沟道深度无关,亚阈区峰值电势随栅压线性变化,推出了一个简化的亚阈电流表达式,并在计算中计入了界面态的影响.该表达式可用来对沟道载流子浓度进行提取.

关键词:等效沟道厚度; SiC; 隐埋沟道; MOSFET; 亚阈特性;

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