高温氢气退火提高硅片质量的研究
来源期刊：功能材料与器件学报2004年第2期
论文作者：邹子英 闵靖
关键词：高温氢退火; 氧沉淀; 晶体原生颗粒(COP); 氧化层错; 与时间有关的介质击穿(TDDB);
摘 要：研究了硅片高温氢气退火的工艺技术,实验显示,在高温1150℃,在高纯氢气氛中退火处理至少60min,在硅片表面产生约50μm以上的洁净层.测试了退火后硅片中氧的深度分布,发现硅片表面有一层低氧区,能提高硅片的质量,使氧化层错的密度降低一个数量级,测试数据还表明高温氢退火对降低COP缺陷的密度和提高氧化层的质量也有一定的效果.
邹子英1，闵靖1
(1.上海市计量测试技术研究院,上海,200233)
摘要:研究了硅片高温氢气退火的工艺技术,实验显示,在高温1150℃,在高纯氢气氛中退火处理至少60min,在硅片表面产生约50μm以上的洁净层.测试了退火后硅片中氧的深度分布,发现硅片表面有一层低氧区,能提高硅片的质量,使氧化层错的密度降低一个数量级,测试数据还表明高温氢退火对降低COP缺陷的密度和提高氧化层的质量也有一定的效果.
关键词:高温氢退火; 氧沉淀; 晶体原生颗粒(COP); 氧化层错; 与时间有关的介质击穿(TDDB);
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