CdSe胶质量子点的电致发光特性研究
来源期刊：无机材料学报2012年第11期
论文作者：楼腾刚 胡炼 吴东锴 杜凌霄 蔡春锋 斯剑霄 吴惠桢
文章页码：1211 - 1215
关键词：CdSe;量子点;电致发光;光致发光;
摘 要：采用胶体化学法合成硒化镉(CdSe)胶质量子点,在此基础上制成了以CdSe胶质量子点为有源层,结构为ITO/ZnS/CdSe/ZnS/Al的电致发光(EL)器件.透射电镜测量表明量子点的尺寸为4.3 nm,扫描电子显微镜测量ZnS薄膜和Al薄膜结果显示表面均较为平整,由器件结构的X射线衍射分析观察到了CdSe(111)、ZnS(111)等晶面的衍射,表明器件中包含了CdSe量子点和ZnS绝缘层材料.光致发光谱表征胶质量子点的室温发光峰位于614 nm,电致发光测量得到器件在室温下的发光波长位于450～850 nm,峰值在800 nm附近.本文对电致发光机制及其与光致发光谱的区别进行了讨论.
楼腾刚1，胡炼1，吴东锴1，杜凌霄1，蔡春锋1，斯剑霄2，吴惠桢1
1. 浙江大学物理学系硅材料国家重点实验室2. 浙江师范大学物理系
摘 要：采用胶体化学法合成硒化镉(CdSe)胶质量子点,在此基础上制成了以CdSe胶质量子点为有源层,结构为ITO/ZnS/CdSe/ZnS/Al的电致发光(EL)器件.透射电镜测量表明量子点的尺寸为4.3 nm,扫描电子显微镜测量ZnS薄膜和Al薄膜结果显示表面均较为平整,由器件结构的X射线衍射分析观察到了CdSe(111)、ZnS(111)等晶面的衍射,表明器件中包含了CdSe量子点和ZnS绝缘层材料.光致发光谱表征胶质量子点的室温发光峰位于614 nm,电致发光测量得到器件在室温下的发光波长位于450～850 nm,峰值在800 nm附近.本文对电致发光机制及其与光致发光谱的区别进行了讨论.
关键词：CdSe;量子点;电致发光;光致发光;
