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铈掺杂对PZT压电陶瓷性能的影响

来源期刊:功能材料2008年第3期

论文作者:郭婷 张洋洋 刘耀平 陈亚波 姜胜林

关键词:大功率压电陶瓷; PZT; 相结构; 低损耗; 体电阻率;

摘    要:研究了铈掺杂对PZT(锆钛酸铅)压电陶瓷材料的相组成、微观结构、介电性能、压电性能及铁电性能的影响,并对实验结果做出物理机理的解释.实验结果表明,适量的铈掺杂有利于材料结构的致密,提高了体电阻率,解决了材料在高温高场下极化困难的问题,在铈掺杂量为0.4%(摩尔分数)时,制备出综合性能良好的PZT压电陶瓷:室温时εr=958,tgδ=0.24%,d33=239pC/N,Kp=0.45,Qm=886,适合制备大功率压电陶瓷.



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铈掺杂对PZT压电陶瓷性能的影响

郭婷1,张洋洋1,刘耀平1,陈亚波2,姜胜林1

(1.华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;
2.华中科技大学,电气与电子工程学院,湖北,武汉,430074)

摘要:研究了铈掺杂对PZT(锆钛酸铅)压电陶瓷材料的相组成、微观结构、介电性能、压电性能及铁电性能的影响,并对实验结果做出物理机理的解释.实验结果表明,适量的铈掺杂有利于材料结构的致密,提高了体电阻率,解决了材料在高温高场下极化困难的问题,在铈掺杂量为0.4%(摩尔分数)时,制备出综合性能良好的PZT压电陶瓷:室温时εr=958,tgδ=0.24%,d33=239pC/N,Kp=0.45,Qm=886,适合制备大功率压电陶瓷.

关键词:大功率压电陶瓷; PZT; 相结构; 低损耗; 体电阻率;

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